Да
РАЗДЕЛ 1. КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
3.1.1. Электронные компоненты:
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий: 3 а) суммарную дозу 5 x 10 Гр (по 5 кремнию) [5 х 10 рад] или выше; 6 б) мощность дозы 5 x 10 Гр 8 (по кремнию)/с [5 x 10 рад/с] или выше; или в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии 13 в 1 МэВ) 5 x 10 н/см2 или более по кремнию или его эквивалент для других материалов
3.1.1.1.2. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, интегральные схемы, включающие в себя аналого-цифровые преобразователи и функцию хранения или обработки цифровых данных, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, заказные интегральные схемы (при условии, что их функции неизвестны или неизвестно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы), процессоры быстрого преобразования Фурье, статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ) или энергонезависимые запоминающие устройства, имеющие любую из следующих характеристик:
а) рассчитанные (пригодные) для эксплуатации при температуре окружающей среды выше 398 К (125 °C);
б) рассчитанные (пригодные) для эксплуатации при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 °C); или в) рассчитанные (пригодные) для эксплуатации во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55 °C) до 398 К (125 °C).
Техническое примечание.
Энергонезависимые запоминающие устройства - устройства с функцией сохранения данных после выключения источника питания.
3.1.1.1.5. Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: а) один внутренний лазерный диод или более; б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и в) световоды;
3.1.1.1.7. Интегральные схемы для нейронных сетей;
3.1.1.1.9. Цифровые интегральные схемы, иные, нежели описанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 и пункте 3.1.1.1.10, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего: а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, и имеющие любое из следующего: а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность -14 на вентиль (в ваттах) менее 10 Дж; или б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000;
КАТЕГОРИЯ 6. ДАТЧИКИ И ЛАЗЕРЫ
6.1.Системы, оборудование и компоненты
6.1.2. Оптические датчики, приборы и компоненты для них
6.1.2.5. Интегральные схемы с выводом данных, специально разработанные для фокальных матричных приемников, определенных в пункте 6.1.2.1.3
Примечание.
Пункт 6.1.2.5 не применяется к интегральным схемам с выводом данных, специально разработанным для применения в гражданских автомобилях
См. текст документа и примечания.
Постановление Правительства РФ от 19.07.2022 N 1299
Положение см. Постановление Правительства N 447 от 07.06.01
Товар возможно попадает в перечень продукции, поставка которой в КНДР запрещена.
Подробнее см. Указ Президента РФ от 14.10.2017 N 484 "О мерах по выполнению резолюции Совета Безопасности ООН 2321 от 30 ноября 2016 г.
См. Приказ ФСТЭК России от 25.11.2022 N 209 "Перечень товаров, в отношении которых при их перемещении за пределы РФ не применяются запреты и ограничения, установленные законодательством РФ в области экспортного контроля"
(Идентификационное заключение от 07.12.2022 N 2886-22/7701350013)
Да
РАЗДЕЛ 1. КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
3.1.1. Электронные компоненты:
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:
3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные на основе сложных полупроводников и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц
3.1.1.1.4. Следующие интегральные схемы аналого-цифровых преобразователей (АЦП) и цифроаналоговых преобразователей (ЦАП):
а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:
разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более 1,3 млрд. выборок в секунду;
разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более 600 млн. выборок в секунду;
разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более 400 млн. выборок в секунду;
разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более 250 млн. выборок в секунду; или
разрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 65 млн. выборок в секунду
Особое примечание.
Для интегральных схем, включающих в себя аналого-цифровые преобразователи и функцию хранения или обработки цифровых данных, см. пункт 3.1.1.1.12
3.1.1.1.8. Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю неизвестен статус контроля аппаратуры, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик: а) более 1500 выводов; б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,02 нс; или в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц ;
Внимание! с 01.05.23г. изменения в п. 3.1.1.1.8.:
а) максимальное число цифровых входов (выходов) 700 или более;
или б) суммарная максимальная скорость передачи данных последовательного одностороннего радиопередатчика 500 Гб/с или выше;
3.1.1.1.10. Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log N) / 20 480 мс, 2 где N - количество точек
3.1.1.1.12. Интегральные схемы, выполняющие все следующее или программируемые для выполнения всего следующего:
а) аналого-цифровые преобразования, имеющие любую из следующих характеристик:
разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более 1,3 млрд. выборок в секунду;
разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более 1 млрд. выборок в секунду;
разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более 1 млрд. выборок в секунду;
разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более 400 млн. выборок в секунду; или
разрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 180 млн. выборок в секунду; и
б) любое из следующего: хранение цифровых данных; или обработка цифровых данных
3.1.1.2.2. Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности (характеристики см. документ)
Особое примечание: ММИС - усилители мощности, имеющие интегрированные фазовращатели, должны оцениваться в соответствии с пунктом 3.1.1.2.11
3.1.1.2.8. Микроволновые модули питания (ММП), содержащие, по крайней мере, вакуумное электронное устройство бегущей волны, монолитную микроволновую интегральную схему и встроенный электронный стабилизатор напряжения, имеющие все следующие характеристики: а) время включения от выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния менее 10 с; б) физический объем ниже произведения максимальной номинальной мощности в ваттах на 10 см3/Вт; и в) мгновенную ширину полосы частот более одной октавы (f > 2f ) и max min любое из следующего: для частот, равных или ниже 18 ГГц, радиочастотную выходную мощность более 100 Вт; или частоту выше 18 ГГц
3.1.1.2.11. Приемо-передающие модули, приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, передающие модули и передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, предназначенные для работы на частотах выше 2,7 ГГц и имеющие все следующие характеристики:
а) пиковую выходную мощность в режиме насыщения (Вт), Psat, большую, чем результат деления величины 505,62 на максимальную рабочую частоту (ГГц) в квадрате,
то есть: Psat > 505,62 Вт x ГГц2/fГГц2 для любого канала;
б) относительную ширину полосы частот 5% или более для любого канала;
в) планарный корпус (корпус микросхем, предназначенных для монтажа на поверхность) с длиной d (в см), равной результату (или меньшей, чем результат) деления величины 15 на наименьшую рабочую частоту (ГГц), то есть:
d 15 см x ГГц x N/fГГц,
где N - количество передающих или приемо-передающих каналов; и
г) фазовращатель с электронной регулировкой на канал;
РАЗДЕЛ 2. КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
3.1.2. Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик:
а) определенные изготовителем для работы на частотах в диапазоне выше 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 300 Вт (54,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 300 Вт (54,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 300 Вт (54,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 120 Вт (50,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно; или
б) определенные изготовителем для работы на частотах в диапазоне выше 6,8 ГГц до 12 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 25 Вт (44 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 25 Вт (44 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно
3.2.1.1.2. Микропроцессоры и оборудование с цифровым управлением, которые в реальном масштабе времени контролируют и корректируют параметры сварки в зависимости от изменений сварного шва или состояния сварочной дуги
КАТЕГОРИЯ 3. ОБРАБОТКА И ПОЛУЧЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ
3.2.1. Оборудование высококачественной сварки:
3.2.1.1. Датчики и системы управления для сварочного оборудования, такие как:
3.2.1.1.1. Микропроцессоры и оборудование с цифровым управлением, которые прослеживают сварной шов в реальном масштабе времени, контролируя его геометрию;
См. текст документа и примечания.
Постановление Правительства РФ от 19.07.2022 N 1299
Положение см. Постановление Правительства N 447 от 07.06.01
Товар возможно попадает в перечень продукции, поставка которой в КНДР запрещена.
Подробнее см. Указ Президента РФ от 14.10.2017 N 484 "О мерах по выполнению резолюции Совета Безопасности ООН 2321 от 30 ноября 2016 г.
См. Приказ ФСТЭК России от 25.11.2022 N 209 "Перечень товаров, в отношении которых при их перемещении за пределы РФ не применяются запреты и ограничения, установленные законодательством РФ в области экспортного контроля"
(Идентификационное заключение от 07.12.2022 N 2886-22/7701350013)
Да
РАЗДЕЛ 14. АНАЛОГО-ЦИФРОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
14.1.1. Аналого-цифровые преобразователи, используемые в средствах доставки, указанных в позиции 1.1, имеющие любую из следующих характеристик: 1) разработаны с учетом требований повышенной надежности, предъявляемых к аналогичным устройствам военного назначения; 2) разработаны или модифицированы для военного применения и содержат любой из следующих элементов: а) микросхемы для аналого- цифрового преобразования, являющиеся радиационно стойкими или имеющие все следующие характеристики; рассчитаны на работу при температурах ниже минус 54 град. C и выше плюс 125 град. C; выполнены герметично; б) печатные платы или модули аналого-цифрового преобразования с электрическим входом, имеющие все следующие характеристики; рассчитаны на работу при температурах ниже минус 45 град. C и выше плюс 80град. C; включают микросхемы, указанные в настоящей позиции
РАЗДЕЛ 18. ЗАЩИТА ОТ ПОРАЖАЮЩИХ ФАКТОРОВ ЯДЕРНОГО ОРУЖИЯ
18.1.1. Радиационно стойкие микросхемы, используемые в системах защиты ракет и беспилотных летательных аппаратов от поражающих факторов ядерного оружия (например, электромагнитного импульса (ЭМИ), рентгеновского излучения, совместного ударного и теплового воздействия) и используемые для средств доставки, указанных в позиции 1.1
Постановление Правительства от 16.07.2022 N 1288
Положение см. Постановление Правительства РФ от 16.04.2001 N 296
Товар возможно попадает в перечень продукции, поставка которой в КНДР запрещена.
Подробнее см. Указ Президента РФ от 14.10.2017 N 484 "О мерах по выполнению резолюции Совета Безопасности ООН 2321 от 30 ноября 2016 г.
См. Приказ ФСТЭК России от 25.11.2022 N 209 "Перечень товаров, в отношении которых при их перемещении за пределы РФ не применяются запреты и ограничения, установленные законодательством РФ в области экспортного контроля"
(Идентификационное заключение от 07.12.2022 N 2886-22/7701350013)