Да
РАЗДЕЛ 1. КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
3.1.1. Электронные компоненты:
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона:
3.1.1.2.3. Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик: (см. документ)
3.1.1.8. Твердотельные силовые полупроводниковые переключатели, диоды или модули, имеющие все следующие характеристики: а) рассчитанные для максимальной рабочей температуры p-n-перехода выше 488 К (215 °C); б) повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (блокирующее напряжение), превышающее 300 В; и в) постоянный ток более 1 А
3.1.1.9. Электрооптические модуляторы интенсивности, амплитуды или фазы, разработанные для аналоговых сигналов и имеющие любую из следующих характеристик:
а) максимальную рабочую частоту более 10 ГГц, но менее 20 ГГц, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:
1) полуволновое напряжение () менее 2,7 В, измеренное на частоте 1 ГГц или менее; или
2) полуволновое напряжение () менее 4 В, измеренное на частоте более 1 ГГц; или
б) максимальную рабочую частоту 20 ГГц или более, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:
1) полуволновое напряжение () менее 3,3 В, измеренное на частоте 1 ГГц или менее; или
2) полуволновое напряжение () менее 5 В, измеренное на частоте более 1 ГГц
3.1.3. Дискретные сверхвысокочастотные транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:
а) определенные изготовителем для работы на частотах в диапазоне выше 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 600 Вт (57,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 600 Вт (57,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 600 Вт (57,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 130 Вт (51,2 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
б) определенные изготовителем для работы на частотах в диапазоне выше 6,8 ГГц до 12 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 130 Вт (51,2 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно.
РАЗДЕЛ 2. КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
3.1.3.Дискретные сверхвысокочастотные транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:
а) определенные изготовителем для работы на частотах в диапазоне выше 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего: пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 600 Вт (57,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно; пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 600 Вт (57,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 600 Вт (57,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 130 Вт (51,2 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
б) определенные изготовителем для работы на частотах в диапазоне выше 6,8 ГГц до 12 ГГц включительно и имеющие любое из следующего: пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 130 Вт (51,2 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте в диапазоне выше 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно.
См. текст документа и примечания.
Постановление Правительства РФ от 19.07.2022 N 1299
Положение см. Постановление Правительства N 447 от 07.06.01
Товар возможно попадает в перечень продукции, поставка которой в КНДР запрещена.
Подробнее см. Указ Президента РФ от 14.10.2017 N 484 "О мерах по выполнению резолюции Совета Безопасности ООН 2321 от 30 ноября 2016 г.
См. Приказ ФСТЭК России от 25.11.2022 N 209 "Перечень товаров, в отношении которых при их перемещении за пределы РФ не применяются запреты и ограничения, установленные законодательством РФ в области экспортного контроля"
(Идентификационное заключение от 07.12.2022 N 2886-22/7701350013)